2025.11.24
半導体分野における原子層堆積法（ＡＬＤ）に関する技術
半導体分野における原子層堆積法（ALD）は、ウェハ上に極めて薄い膜材料を均一かつ高精度に成長させる技術である。ALDは前駆体となる原料ガスをパルス状にチャンバ内に導入し、吸着と化学反応を繰り返すことで酸化膜や層間絶縁膜、保護膜などの薄膜を形成する。 こ…
半導体分野における原子層堆積法（ALD）は、ウェハ上に極めて薄い膜材料を均一かつ高精度に成長させる技術である。ALDは前駆体となる原料ガスをパルス状にチャンバ内に導入し、吸着と化学反応を繰り返すことで酸化膜や層間絶縁膜、保護膜などの薄膜を形成する。 こ…