半導体分野におけるインターポーザー技術は、複数の半導体集積回路やメモリーチップ、ロジックチップなどのコンポーネントを一つのパッケージ内で高密度に相互接続する技術である。インターポーザーは絶縁層や誘電体膜を有し、内部には導体で形成されたトレースやビアが配置されている。これにより入出力間の電気的パスが確保され、各チップ間の電源供給やグランド接続、ノイズ軽減も実現される。表面にはパッドやバンプが設けられ、はんだ（Ｓｎ系やろう）による接続や電解めっきの工程が含まれる。硬化促進剤を含むエポキシ樹脂やビスフェノール系の封止剤で保護され、アセンブリ全体の強度や熱膨張率の調整が図られる。また、スタックドタイプやアレイ構造の採用により高周波特性やインピーダンス制御も適用されるため、通信用途における固体の高効率な相互接続が可能である。これらの要素が統合されることで半導体パッケージの性能と信頼性が向上する技術群である。
