半導体分野におけるイオン注入技術は、シリコンウェハやｓｉｃ、ｇａｎ、ａｌｇａｎなどの材料にドーパントを高精度で注入し、不純物濃度を制御する技術を指す。これにより、ｍｏｓｆｅｔのチャネル形成、ドレインやソースの拡散層設計が可能となる。注入後は熱処理やアニーリングを行い、欠陥の修復やドープされた不純物の活性化を促す。マスクを用いて注入領域を限定し、画素制御や薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）、フォトダイオードの特性向上にも寄与する。さらに酸化膜や絶縁膜の形成と組み合わせることで、界面の品質を保ち、トレンチ構造やサイドウォールの電界分布を最適化する。イオン注入は単結晶のウェハ上でエミッタやドリフト層の形成に活用され、発光ダイオード（ＬＥＤ）や撮像装置などの高度な半導体デバイスの性能向上に不可欠な技術群である。
