半導体分野におけるイメージセンサに関する技術は、主にシリコン基板上に形成されるピクセルアレイを基盤とし、各画素がフォトダイオードを用いて光を電荷に変換する構造を持つ。光学系からの光源を受けて蓄積された電荷は、薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）やｐｍｏｓ、ｎｍｏｓのチャネルを介して伝送、演算回路に入力され、電子的な読み出しが行われる。ピクセルは垂直に配置されることが多く、マイクロレンズによって光の取り込み効率が高められている。絶縁膜やドレイン、ソース、ゲートなどの半導体素子のプロセス技術と、欠陥検査のためのビームやステージを用いたウェハ搬送・研磨、エッチングといった製造工程も含まれる。誘導体や置換基を含む有機層の応用により活性層の特性改善が図られ、赤外線など特定波長の光学特性を制御する技術も組み込まれる。さらに、投影技術や反射制御、照明手法、カメラや撮像装置との連携を通じて、撮像精度や感度の向上が追求されている。これらの技術群は半導体素子の物理的構造と電気的機能の両面を総合的に発展させ、画像の高精度な検出・処理を可能にしている。
