半導体分野における窒化アルミニウム（AlN）に関する技術は、主に高い熱伝導率を活かした放熱性能の向上に注目される。AlNはセラミックス素材としてパワーモジュールなどに用いられ、銅板（Cu）や銀（Ag）をクラッドした金属板との組み合わせによって熱伝導性と機械的強度を両立させる。電子デバイスの放熱シートやバッファ層としてAlNを採用することで、GaNやAlGaNを用いたHEMT（高電子移動度トランジスタ）の活性層から発生する熱を効率的に拡散し、デバイスの耐熱性と動作安定性を向上させる。AlNの焼結体は焼成や焼結助剤を用いて成形され、硬化剤やバインダを組み合わせてエポキシ樹脂ベースの複合材料とすることもある。これにより硬質かつ耐摩耗性の高い被覆層が形成され、信頼性の高い基板やパッケージ構造が実現される。窒素雰囲気下での処理や単結晶、種結晶を利用した形態制御により材料特性を調整し、SiCや珪素（Si）基板との接合技術、コンタクトの反射制御などと連携して総合的なデバイス性能向上に寄与する技術群を含む。
