半導体分野におけるバイポーラトランジスタは、エミッタ、ベース領域、コレクタの三つの主要領域から構成される。ベース領域にはドープにより不純物が導入され、キャリアの注入と制御を行う。ｎｐｎ型やｐｎｐ型の構造が代表的であり、ベース電極を介した電位制御で増幅動作を実現する。また、寄生ダイオードや寄生トランジスタの発生を抑制するための絶縁膜や拡散層の設計も重要である。トレンチ構造やドリフト領域の形成により、高電圧耐性やスイッチング特性の改善が図られる。さらに、ｉｎｇａｓやｇａａｎなどの窒化物半導体やｉｎｐ、ｉｎｇａｐなどのIII-V族化合物半導体による高周波特性の向上が行われている。保護回路としてｅｓｄ耐性を備えた設計も含まれ、ｍｏｓ等の他技術との混載や、ｉｇｂｔの開発に関連した技術もこの分野に含まれる。シリコン基板上でのイオン注入やポリシリコンを用いた配線技術、ショットキーバリアダイオードとの組み合わせにより、高性能かつ信頼性の高いバイポーラトランジスタが実現される。
