半導体分野におけるランダムアクセスメモリに関する技術は、主にｄｒａｍ、ｓｒａｍ、ｍｒａｍなど複数のメモリー方式を含む。ｍｒａｍは磁気の性質を利用し、強磁性材料を用いた固定層と磁化の向きを変化させる層間に絶縁膜をはさむｍｔｊ構造を基本とする。この構造によりスピンの状態で情報を記憶し、書き込みや読み出しが可能である。ｄｒａｍはキャパシタを用いて電荷を蓄積し、ｉｌｄや層間絶縁膜によって絶縁性を維持しつつシリコン基板上にｆｅｔやトランジスタを配する。ｓｒａｍはトランジスタの組み合わせにより高速な読み書きを実現し、ｐｆｅｔやｎｆｅｔの制御で情報を保持する。これらのメモリーではオフ電流の抑制やチャネル、ソースドレイン構造の最適化が重要となる。また、コンタクトホールやプラグ、ビアを介した相互接続が集積回路内での信号伝達を支え、ｖｃｃやｖｓｓの電源管理も不可欠である。メモリーセルのアレイ構造や導体層の積層、窒化や酸素などの材料制御も高性能化に寄与する。さらにパッケージング技術としてボール、バンプ、フリップチップ接合を用いることで外部端子との信頼性の高い接続を実現する。全体として半導体ランダムアクセスメモリ技術は多層構造、材料特性制御、微細加工および電気特性最適化の総合的技術群で構成される。
