半導体分野におけるＰＮ接合に関する技術は、Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合によって形成されるダイオードを中心に構成される。ＰＮ接合技術では、不純物濃度の制御やイオン注入、拡散といったドーパントの導入方法が重要となる。また、耐圧やリークの抑制を目的とした絶縁膜の形成やトレンチ構造の活用も含まれる。ショットキーダイオードやツェナーダイオードなど特性を強化した構成体も含まれ、これらは電荷の蓄積や伝導特性を最適化する役割を持つ。さらに、フォトダイオードや太陽電池の受光・光起電力変換においては、活性層や透明電極を組み合わせ、波長変換や光子の効率的吸収を図る技術も関連する。トランジスタのチャネル形成やゲート、ドレイン、ソースの制御技術もＰＮ接合を組み込むことで実現するため、これらの構造も技術群に含まれる。加えて、単結晶やエピタキシャル成長技術により高品質なＰＮ接合層の構築を行い、不揮発性メモリセルの書き込み・消去を支える半導体記憶装置の核技術としても位置付けられる。こうした技術は、波長依存性や作製工程の制御を通して、ａｌｇａｎや窒化物系材料の利用とともに半導体素子の性能向上に寄与している。
