半導体分野におけるウェットエッチング技術は、シリコンやｓｉｃ、ａｌｇａｎ、ｇａｎといった半導体材料の加工に用いられる液体の薬液を利用したエッチング方法である。エッチング液により、パターン形成されたレジストをマスクとして使用し、ゲートやチャネル、ソース、ドレインといったトランジスタの各部位や絶縁膜、酸化膜、窒化物層の選択的な除去や加工を実現する。特に、ビアホールやコンタクトホールの形成、コンタクトプラグの形成において欠かせない技術となっている。ウェットエッチング液の調整や保護層の適用により、不要な部分へのエッチングを防止しつつ、必要な層間絶縁膜や活性層の精密な加工を可能にする。さらに、太陽電池セルの受光面のテクスチャ形成や透明導電膜の加工にも応用されており、ｉｉｉ－ｖ族材料を含む複雑な半導体構造への対応も進められている。搬送から排気、ノズルを用いた薬液供給に至るプロセス管理も重要で、研磨や研削と組み合わせた工程も含まれる。結果として、ウェットエッチングは半導体デバイスの高精度なパターン形成と微細加工を支える基盤技術である。
