半導体分野におけるアモルファスシリコンに関する技術は、主に薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）や太陽電池の製造に用いられる。薄膜トランジスタは、ｇｅｔｅやドレイン、ソース、チャネルを含む構造を持ち、絶縁膜や絶縁層で電気的に分離される。アモルファスシリコンは微結晶や多結晶と異なり非晶質であり、シランなどの前駆体を用いてチャンバ内で成膜される。成膜工程では流量や排気を制御し、レーザ照射やアニーリングによる品質向上も行われる。太陽電池では、入射光を電気に変換する変換素子として機能し、変換効率の向上を目指して炭化やドープによるドーパント制御が重要となる。透明性を確保した層間絶縁膜や耐圧設計も技術群に含まれ、撮像装置やメモリセルなどの応用もみられる。これら技術は固体の電荷移動制御やキャパシタの誘電体膜、強誘電体ｐｚｔの配向まで多岐にわたる半導体材料・デバイスの基盤技術として位置付けられる。
