半導体分野における消費電力に関する技術は、トランジスタの構造や動作原理に基づき、ゲートやチャネル、ソース、ドレインなどの電位制御を最適化して消費電力を低減することを目的とする。絶縁層や絶縁膜の材料改善、シリコンの高純度化や有機化合物を用いた絶縁膜の導入も消費電力の抑制に寄与している。また、正孔と電子の輸送特性を制御することでリーク電流の低減が図られている。さらに、半導体集積回路のタイミングや電流回路のレイアウト設計を工夫し、遅延や電源の浪費を抑制する技術も含まれる。一部では、スピンや磁気抵抗効果を利用した強磁性や反強磁性材料を組み込むことで、磁気メモリセルにおける消費電力を削減する取り組みも進展している。これらの技術は、半導体記憶装置の読み出しおよび書き込み動作における消費電力最適化にも関連し、電荷の蓄積・変換過程の効率化が図られている。さらに、ｐｌｅｄやｌｅｄの輝度制御、直列電流回路の設計による光源の電力効率向上も対象となっている。これらの要素が集積して、半導体分野における消費電力の技術群を形成している。
