半導体分野における磁気抵抗に関する技術は、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子の構造や動作原理に関わる技術群を指す。代表的にはｍｔｊ（磁気トンネル接合）素子があり、これは強磁性体と非磁性のトンネルバリア膜厚を有する膜構造で、トンネルバリアとしてはｍｇｏが広く用いられている。ｍｔｊは磁極の磁化方向が相互作用により変化することにより抵抗が変化し、この磁化反転やスピンのトルク制御が磁気抵抗効果を生み出す。磁気抵抗素子はセンサや書き込み／読み出し用のメモリセルのビットとして機能し、トランジスタやブリッジ回路と結合してワードやビット単位で磁気記憶の信号を取り出す。これらの素子は強磁性体のｃｏｆｅｂ膜や軟磁性体を層状に積層し、シールドやスペーサなどの保護膜を含む。高周波や直流の磁界変動に対応し、外部磁界に対する感度や振動の影響を抑える技術も含まれている。また、ホール効果や磁界検知技術と組み合わせることもある。半導体プロセスのスパッタリングやパッド形成、窒化処理などの製造技術も関連し、シリコン基板上で平坦に形成される。磁気抵抗に基づくセンサは磁気記録ヘッドの検知や地磁気センサなど幅広い応用に適用される。
