半導体分野におけるフォトマスクに関する技術は、主に光学的な図形の正確な描画と転写を実現する技術群で構成される。フォトマスクブランクスの製造から始まり、クロムなどの金属膜を用いた遮光層の形成により、レジストパターンを高精度で作成する。位相シフト技術やｏｐｃ（光学近接補正）によりマスクパターンの線幅制御や近接効果の補正を行い、設計図形の精度を高める。露光装置での入射光の偏光や照明分布制御も重要で、反射や透過の特性を踏まえた膜厚設計により最適な露光を実現する。マイクロレンズやアライメントマークは画像の精度向上やステージのズレ補正に寄与し、撮像装置を用いた精密なアライメント工程も含まれる。ペリクルと呼ばれる薄膜を用いた異物付着防止技術や、接着剤や粘着剤を使ったペリクルフレームの装着、剥離の工夫も技術群に含まれる。これらにより、トランジスタのゲートやチャネル、ソース、ドレインといった微細構造の形成が可能となる。膜厚や導電層の制御、絶縁膜や絶縁層の配置に基づく微細加工の精度が、半導体デバイス性能に直結する。フォトレジスト材料の特性とレジストパターンの精密転写を支える分子化合物や誘導体、アルキル基を含む構造設計も技術体系に含まれるため、一連の技術は多層かつ連関して機能する。
