半導体分野におけるサファイア技術は、主に窒化物半導体の成長基板としての単結晶サファイアの製造と加工に関わる技術群を含む。単結晶サファイアはａｌｎやａｌｇａｎなどのⅢ族窒化物半導体のバッファ層や活性層の高品質成長を可能にし、デバイスの性能向上に寄与している。製造工程では、るつぼによる溶融引き上げ法が用いられ、ヒーターや断熱材を駆使して温度制御を行い、種結晶からの単結晶成長を実現する。成長後のウェハはチャックテーブル上で切削や研削砥石を用いた研削加工が施され、膜厚の最適化や表面改質が行われる。さらに、デバイスウエーハとしての加工ではダイシングテープを使ったチップ分離やコンタクト形成、酸化膜や薄膜の熱処理や活性化処理などの工程も含まれる。こうした一連の技術により、ＨＥＭＴ構造のゲートやドレイン、ソースなどの集積デバイスが製造され、ｇａｎデバイスの高周波性能や効率的な光出射（波長変換を伴うＬＥＤの青色や白色光生成）に貢献している。加えて、サファイア基板の高い透光性と屈折率特性は蛍光体封止やシリコーン樹脂被覆などの封止技術とも連携し、デバイスの輝度向上にも寄与している。以上のように半導体分野のサファイア技術は、単結晶成長からデバイス加工、光学特性の制御までを一体として包含する技術群である。
