GaAs（ガリウムヒ素）を用いた半導体分野における技術は、主に高周波素子や光電子デバイスの構築に関わる。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）や高電子移動度トランジスタ（HEMT）などのトランジスタ技術は、GaAsとAlGaAsなどのクラッドや障壁層を組み合わせて、電子のチャネルを形成し、高速動作を実現している。pn接合やベース電極、エミッタコンタクトを含む構造設計により、電界効果トランジスタ（FET）としての性能も向上させている。光デバイス分野では、GaAsを活性層に用いた発光ダイオード（LED）やレーザーダイオードが代表的であり、入射された光の吸収や反射、輝度の制御が重要となる。さらに、GaAs系材料は赤外線波長帯の受光素子にも使われ、その太陽電池セルや量子ドットを利用したナノ構造デバイスにおいても応用される。材料面では、単結晶GaAsの種結晶から育成した多結晶や液体・るつぼを用いた成長技術、コンタクト形成技術が含まれる。これらによりバンドギャップ（gap）調整や暗電流の抑制が可能となり、高性能半導体素子の実現が進められている。
