半導体分野におけるカーボンナノチューブ（ｃｎｔ）技術は、主にカーボンナノチューブの合成、配向制御、集積および応用に関わる技術群で構成される。合成にはｃｖｄ法を用い、原料ガスと触媒層の設計により微粒子上でｃｎｔを成長させる技術が含まれる。これにより、カーボンナノチューブアレイやカーボンナノチューブセグメントとして配列された構造体が実現される。分散技術としては、分散媒や界面活性剤を用いたカーボンナノチューブフィルムの調製や凝集防止技術がある。半導体デバイスにおいては、ｃｎｔをチャネルとして活用するＦＥＴや薄膜トランジスタの構築に関わる技術、絶縁層や絶縁膜を組み合わせた高性能なトランジスタ製造技術がある。さらに、カーボンナノチューブワイヤを用いた集電体や電極の設計が含まれ、負極や正極に適用されることも特徴である。熱伝導率の高いｎａｎｏ構造の利用により放熱や熱抵抗軽減を図る技術も重要であり、ヒートスプレッダーとしての利用や熱伝導性の制御技術が該当する。また、電磁波の吸収、反射、遮蔽、減衰を目的とする電磁波吸収素材としての応用も含まれ、ｇｈｚ帯やミリ波帯に対応する技術群が存在する。これらの要素技術を統合して半導体分野におけるカーボンナノチューブ技術が形成されている。
