半導体分野におけるドライエッチング技術は、レジストパターンをマスクとして用い、プラズマや反応性イオンを利用して酸化膜、窒化物、炭化珪素などの固体層を選択的に除去し、ゲートやトレンチ、パターン形成を精密に行う技術群である。これには、酸化膜や層間絶縁膜の形成後に、チャネルやソース、ドレインの構造を作るためのエッチング処理が含まれ、特にｍｏｓｆｅｔや薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）の活性層加工にも応用される。レジストの架橋や硬化、アッシング工程により残渣や着色剤の除去、洗浄液による洗浄も同時に重要な技術として位置づけられる。さらに、ｇａｎやａｌｇａｎ、サファイア基板上のバッファ層や活性層加工においても、フッ化を含む酸化膜腐食制御が不可欠であり、遮光や反射を考慮したマスクブランクや位相シフトマスクの使い分けも技術群の一部である。これらの技術が組み合わさり、精密な半導体デバイスの微細構造形成を可能にしている。
