半導体分野におけるフラッシュメモリに関する技術は、主にメモリセルの構造設計と製造プロセスに関連する技術群で構成される。メモリセルはフローティングゲートやコントロールゲートを含み、これらは絶縁膜や酸化膜、誘電体膜などの層間絶縁膜で囲まれている。トンネル酸化膜を介して電荷の注入と排出が制御され、ｎａｎｄ構造による高密度集積が実現されている。製造工程ではウェハの熱処理装置や熱処理技術を用い、予備加熱や排気、フラッシュランプやハロゲンランプによる均一な加熱を行う。チャンバ内での搬送やアームによる正確な位置決めも重要である。マスクやハードマスクを活用したエッチングによりドレインやソース、ワードライン、ビットラインの形成が行われ、ポリシリコンやシリサイドが電極材として利用される。これらの技術により、信頼性と性能を兼ね備えた半導体記憶装置の製造が可能となる。
