半導体分野におけるキャリアガスに関する技術は、主にエピタキシャル成長や化学気相成長（MOCVD）などの薄膜形成プロセスで用いられる。キャリアガスは原料ガスをウェハ上の反応器内へ搬送する際の媒体として使用され、流路やバルブ、流量調節弁によってその流量や圧力、ガス濃度を精密に制御する技術群である。気化器や気化技術により液体や固体の前駆体を蒸気状に変換し、キャリアガスに混合して搬送することが一般的である。これにより、ドーパントやホットプレートを用いた活性層の形成、バッファ層やクラッドなど複合構造のエピタキシャル成長が可能になる。さらに、パージやプラズマ処理による反応器内の環境制御、圧力計やコントローラを利用して全圧や分圧を調整しながら高品質な単結晶や窒化物、シリコン、GaN、AlGaNなどの材料成膜技術を支えている。また、ノズルやミスト、エアロゾルによる霧化や噴射技術も応用され、微粒子の粒径管理や衝突回収を経て均一な薄膜形成に寄与している。これらの技術は、半導体の高性能化と高精度な膜材料制御に不可欠である。
