半導体分野におけるアライメントマークに関する技術は、ウェハ上のパターン精度を高めるために必須の技術である。この技術はリソグラフィ工程での露光装置を用いた撮像と画像認識を中心として展開される。露光装置内のマスクテーブルおよびチャックテーブル上でのウェハの正確な位置決めにより、複数の層間絶縁膜や酸化膜、窒化層を含む多層構造のアライメントが実現される。補正技術は、搬送時の微小なずれやステージの加速度、エンコーダヘッドの情報に基づき光学的なズレを補正し、パターニングデバイス上への正確な転写を可能にする。アライメントマークはフォトマスクに描画された遮光パターンや透明部分を利用して光学的に検出され、撮像カメラやイ ルミネータの光源、反射特性を活用することにより高精度な位置検出を行う。こうして得られた情報は、露光ショット単位での位置調整や描画精度の向上に寄与し、レジスト層の露光や硬化、モールドやインプリント技術との連携において重要な役割を果たす。結果として、この技術群には露光、撮像、画像認識、補正、搬送制御、光学設計、マスク設計および多層構造の位置合わせ技術が含まれている。
