半導体分野における電子顕微鏡技術は、主にSEM（走査型電子顕微鏡）とTEM（透過型電子顕微鏡）を活用し、ウェハ上の欠陥検査や微細構造の観察を行う技術群である。SEMは表面の画像撮像に優れており、ステージ上でウェハの特定領域を高解像度で検査することが可能である。これにより、欠陥の検出や微細パターンの形状確認が行われる。TEMは内部構造の透過観察に適し、半導体のエピタキシャル成長における転位や単結晶のロッキングカーブ解析など、高精度な結晶欠陥評価に利用される。技術群には、試料準備としての研磨技術や特定材料の密度・粒子径評価、画像記憶および解析技術も含まれている。また、界面や下地の観察により封止膜や皮膜の密着性評価を行い、半導体の信頼性向上や製造プロセスの最適化に寄与する。これらの技術は光学観察を補完し、ナノスケールでの正孔注入や輸送機構の解析にも応用されている。
