半導体分野における化学機械研磨（CMP）は、シリコンウェハ上の層間絶縁膜や酸化膜などの膜厚を制御しながら平坦化する技術である。研磨液には砥粒と酸化剤、界面活性剤が含まれ、pHや分散状態の調製が重要となる。キャリアヘッドがウェハを保持し、プラテンが回転することで半径方向に研磨が進行する。硬化剤やプレポリマーを用いた複合膜の処理や、撮像素子のカラーフィルタやフォトダイオード周辺の微細構造のエッチング面の平坦化にも活用される。コントローラやセンサが研磨速度や終点制御を行い、研磨中の電荷や反射の影響にも配慮される。ダミーパターンを用いた膜厚密度の均一化や、トランジスタのゲート、ソース、ドレイン部の微細加工においても不可欠な技術となっている。
公開日: 2025.11.25
カテゴリー:
半導体
